12 月 11 日消息，韓媒 ZDNet 當地時間 9 日援引行業報告表示，三星電子已于近日啟動下代 1c nm 制程 DRAM 內存量產所需設備的采購，從 Lam Research 泛林集團等主要半導體設備制造商購買的設備將于明年 2 月左右引進至量產線。
三星電子目前尚未官宣 1c nm(IT之家注：第 6 代 10nm 級制程)DRAM。報道指出三星電子的 1c nm 目前處于試產狀態，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首條 1c nm 量產線將設置于韓國京畿道平澤 P4 工廠。
業內人士表示，三星電子 1c nm 量產投資的初期規模不會很大，這是因為尚需時日來實現這一新制程 DRAM 良率的穩定，待工藝成熟后三星才會進行額外的投資。
此前有消息稱三星電子已確認將在下代 HBM4 中應用 1c nm DRAM，可以說 1c nm 的表現很大程度上決定了三星能否在競爭激烈的 HBM 內存市場趕上甚至超越目前的領先者 SK 海力士。
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