韓媒 bloter 于 7 月 15 日發布博文，爆料稱三星計劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。

　　注：硅電容(Silicon Capacitor)通常采用 3 層結構(金屬 / 絕緣體 / 金屬，MIM)，超薄且性狀靠近半導體，能更好地保持穩定電壓以應對電流變化。

　　硅電容具有許多優點，讓其成為集成電路中常用的元件之一：

　　首先，硅電容的制造成本較低，可以通過批量制造的方式大規模生產。

　　其次，硅電容具有較高的可靠性和長壽命。由于其結構簡單，易于加工和集成，硅電容的失效率較低。

　　此外，硅電容的尺寸小，占據空間少，適合集成電路的微型化和高密度集成。

　　報道指出三星電機(Samsung Electro-Mechanics)已開發出用于量產 Exynos 2500 芯片的測試設備，該芯片的前期量產工作已經就緒，即將開始量產。

　　三星計劃在明年推出的 Galaxy S25、Galaxy S25+(有相關線索表明會被砍掉，目前無法確認)兩款手機上使用 Exynos 2500 芯片。

　　據此前報道，三星 Exynos 2500 最近取得了突破性進展，至少目前流片的工程樣品已經達到了 3.20GHz 高頻，同時比蘋果 A15 Bionic 更省電，將成為“迄今為止效率最高的芯片”。