12月20日消息，路透社報道稱，三星電子表示，已經開始量產業界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM芯片。第二代10納米級芯片比第一代芯片快10%，功耗降低15%。

　　三星在公開聲明中稱，“第二代10納米級8Gb DRAM芯片的功耗和數據處理性能均改善，將用于云計算中心、移動設備和高速顯卡等高端數據處理電子產品。另外將在2018年把多數現有DRAM生產轉為10納米級芯片。該公司在電腦芯片、電視和智能手機行業全球領先。

　　三星電子記憶芯片部門(Memory Business)總裁Gyoyoung Jin稱，這一“積極的”生產擴張，將“適應市場的旺盛需求。”

　　另外，英特爾以及AMD已經驗證通過了第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM內存芯片。

　　對于普通消費者來說，此舉還意味著，老款以及更老的工藝的內存成本和最終價格將有望下探。也就是說內存/SSD的基礎產能從明年將得到極大的滿足，最終帶動價格下探。