伴隨著3D NAND的堆疊層數越來越多，設備廠商以及存儲廠商正在想方設法的研究新的生產技術從而改進生產效率。根據最新的消息表明SK海力士和三星目前都正在對東京電子最新的低溫蝕刻設備進行測試，這一設備對于提升3D NAND的堆疊層數有著更加重大的意義。

　　據韓媒thelec的消息，SK海力士就在評估東京電子最新的低溫蝕刻設備，該設備可以在-70℃的低溫下運行，用來生成400層以上堆疊的新型3D NAND。低溫蝕刻設備的鉆孔速度是傳統工具的三倍，對多層數的3D NAND非常有用。SK海力士正在把測試晶圓發送到東京電子的實驗室，從而評估新設備的能力。當前的蝕刻工藝是在0℃到30℃的溫度范圍內工作的，而東京電子的蝕刻設備在-70℃低溫下運行，這形成了鮮明的對比，根據他們的論文數據，新的蝕刻機可以在33分鐘內進行10微米深的高深度比蝕刻，比現有工具快三倍以上，這一成果是一項重大的技術進步，而且大大提升了3D NAND的生產效率。

　　SK海力士現在的321層3D NAND據說采用了三重堆棧結構，采用東京電子的新設備后可能以單堆�；螂p堆棧的方式構建400層的3D NAND，生產效率明顯提高，當然這能否成功還得看設備的可靠性以及性能一致性。此外SK海力士考慮應用低溫蝕刻設備的另一個原因是減少碳排放，現有的蝕刻工藝中，使用的是具有較高全球變暖潛能值(GWP)的碳氟化合氣體，如四氟化碳和八氟丙烷，其GWP分別為6030和9540，但東京電子新一代蝕刻設備使用的是GWP小與1的氟化氫氣體，這將大幅減少溫室氣體的排放。

　　同時三星也在驗證這一新技術，與SK海力士不同的是，三星是直接引進東京電子的新設備進行測試。