2月16日消息，第三代半導體碳化硅晶片研發生產商天科合達完成Pre-IPO輪融資，京銘資本體系京銘鴻瑞產業基金、歷金銘科產業基金以及青島匯鑄英才產業基金等三支基金參與本輪融資，其他投資人包括國內多家投資機構。

　　北京天科合達半導體股份有限公司成立于2006年9月，是國內首家專業從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發、生產和銷售的國家級高新技術企業。公司為全球SiC晶片的主要生產商之一。公司總部設在北京市大興區，目前擁有北京總部基地、北京研發中心和三家全資子公司，一家控股子公司，產業涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。

　　天科合達先后申請專利60余項，已獲授權專利40余項;參與起草并正式發布國家標準4項，行業標準1項，團體標準8項。公司在導電型碳化硅單晶領域長期穩居國內第一，2021年躍居世界前四。

　　天科合達從2020年開始開展8英寸導電型SiC單晶襯底的研發工作，突破了8英寸晶體擴徑生長和晶片加工等關鍵技術難題，成功制備出高品質8英寸導電型SiC單晶襯底。據天科合達相關負責人介紹，公司目前產能正在不斷突破，北京二期和徐州二期也在進一步規劃中，預計2025年底，6英寸有效年產能達到55萬片，6到8英寸，可根據實際需求進行快速產能切換，今后公司的國際競爭力和品牌影響力會進一步增強。

　　根據報告，天科合達8英寸導電型碳化硅產品的多項指標均處于行業內領先水平，已經達到了量產標準，計劃2023年進行小批量生產。