據媒體報道，英偉達已選定美光科技作為其下一代內存解決方案SOCAMM的首家供應商。

　　SOCAMM(小型壓縮附加內存模塊)是一種專為數據中心AI服務器設計的新型高性能、低功耗內存。該技術因在AI加速中的關鍵作用而被部分業界人士視為“第二代高帶寬存儲器(HBM)”。

　　英偉達此前委托三星電子、美光等內存制造商開發SOCAMM原型。憑借在低功耗DRAM性能上的優勢，美光率先獲得英偉達的量產批準，超越了規模更大的競爭對手三星。目前，三星等韓國內存供應商雖已開發出SOCAMM芯片，但尚未獲得英偉達認證。

　　與垂直堆疊并與GPU緊密集成的HBM不同，SOCAMM主要支持中央處理器(CPU)，在優化AI工作負載方面扮演關鍵的支撐角色。

　　首批SOCAMM模塊基于堆疊式LPDDR5X芯片，由英偉達設計，將應用于其計劃于2026年發布的下一代AI加速器平臺Rubin。

　　SOCAMM采用引線鍵合和銅互連技術，每個模塊連接16個DRAM芯片——這與HBM使用的硅通孔技術形成鮮明對比。銅互連結構顯著增強了散熱性能，這對AI系統的穩定運行和可靠性至關重要。

　　美光宣稱其最新LPDDR5X芯片能效比競爭對手高出20%，這是其贏得英偉達訂單的關鍵因素。考慮到每臺AI服務器將搭載四個SOCAMM模塊(總計256個DRAM芯片)，散熱效率的重要性尤為突出。

　　分析師認為，SOCAMM的可擴展性意味著它未來可能應用于更廣泛的英偉達產品線，包括其即將推出的個人超級計算機項目DIGITS。

　　美光在低發熱量內存技術上的突破，也有望提升其在競爭激烈的HBM領域的地位。隨著行業向需要堆疊12層甚至16層DRAM的HBM4邁進，熱管理已成為關鍵的差異化因素。(鹿角)