近日，軟銀與英特爾聯合開發了一款全新的 AI 專用內存芯片，旨在大幅降低電力消耗，以便為日本的 AI 基礎設施提供更為高效的支持。根據日經亞洲的報道，雙方的合作目標是設計一種新型堆疊式 DRAM 芯片。這種芯片的布線方式將不同于目前市場上流行的高帶寬內存(HBM)，預期可以將電力消耗降低約50%。

　　這項新技術的開發工作由一家新成立的公司 Saimemory 負責，該公司將專注于芯片的設計和專利管理，而實際的芯片制造則將外包給專業的代工廠。Saimemory 計劃在接下來的兩年內完成原型的開發，隨后評估是否進入量產階段。項目的商業化目標設定在21世紀20年代，預計整個項目的投資將達到100億日元(約合5億元人民幣)。

　　在這項合作中，軟銀是主要的投資者，將出資30億日元(約合1.5億元人民幣)。此外，日本理化學研究所與神港精機也在考慮通過資金或技術參與該項目。項目方還計劃申請政府的支持，以進一步推動這項新型存儲器的研發。

　　軟銀期望這款新型內存芯片能夠廣泛應用于其 AI 訓練數據中心。隨著 AI 技術在企業管理等高階領域的不斷深入，對高性能和高效率的數據處理能力的需求日益增加。新型內存芯片有望以更低的成本，支持構建高質量的數據中心，從而滿足不斷增長的市場需求。

　　這一研發進展無疑將為 AI 行業帶來新的機遇，同時也為推動節能和環保的技術應用貢獻力量。隨著 AI 技術的快速發展，軟銀和英特爾的這一合作，可能會對整個科技行業產生深遠的影響。