1 月 21 日消息，韓媒 MoneyToday 當地時間昨日表示，三星電子已將其 1c nm DRAM 內存開發的良率里程碑時間從 2024 年底推遲至 2025 年 6 月，而這一變化可能會影響到三星對 HBM4 內存的規劃。

　　三星電子原計劃在 2024 年 12 月將 1c nm 制程 DRAM 的良率提升至 70%，達到結束開發工作、進入量產階段所需的水平。但在實際情況中，三星雖于去年底成功制得 1c nm DRAM 的良品晶粒，整體良率卻無法滿足要求。

　　三星上代 1b nm 內存于 2022 年 10 月完成開發、2023 年 5 月量產;如果 1c nm 的開發結束時間定于今年中，那么量產就要落到 2025 年底，兩代 DRAM 工藝間的間隔會來到約 2.5 年，這明顯長于 1.5 年的業界一般開發周期。

　　另一方面，三星電子在 DRAM 內存領域的兩大競爭對手中，SK 海力士已于 2024 年 8 月宣布 1c nm 開發成功，而美光內部的計劃是在今年 4 月完成開發;三星很可能成為最后一家官宣 1c nm DRAM 的三大原廠。

　　1c nm DRAM 本身的推遲也將影響到后續內存產品的進度，尤其是在三星期許通過其重奪 HBM 市場領導地位的 HBM4 上。三星此前計劃在 2025 年內量產基于 1c nm DRAM 和 4nm 邏輯芯片的 HBM4，以領先制程贏得競爭優勢。

　　業內消息人士表示，三星電子也在對 1c nm DRAM 的設計進行調整，并盡可能地加快開發時間。