據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。
長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品，并支付專利使用費。
長江存儲指控稱，美光的 96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)和 232 層(B58R)3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRAM 產品(Y2BM 系列)，侵犯了長江存儲在美國提交的 11 項專利或專利申請。
2023 年 11 月，長江存儲就曾在美起訴美光專利侵權，涉 8 項專利;2024 年 6 月，長江存儲在美起訴美光資助的咨詢公司，指控其散布虛假信息。如今長江存儲再度“亮劍”，IT之家將跟進后續訴訟消息。
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