三星正在開發一種新的芯片封裝技術，以防止應用處理器(AP)過熱。消息人士稱，該封裝在SoC頂部附加一個熱路徑塊(HPB)，預計將用于未來的Exynos芯片。

　　該技術的全名是FOWLP(扇出晶圓級封裝)-HPB，由三星芯片部門下的高級封裝(AVP)業務部門開發，計劃第四季度完成開發，然后開始批量生產。

　　作為后續產品，三星團隊還在開發一種可以安裝多個芯片的FOWLP系統級封裝(SIP)技術，將于2025年第四季度推出。

　　兩種封裝類型都將HPB安裝在SoC頂部，而存儲器則放在HPB旁邊。

　　HPB是一種散熱器，已用于服務器和PC的SoC。由于智能手機的體積較小，該技術目前才被引入智能手機芯片應用中。

　　如今的智能手機大多使用蒸汽室來容納制冷劑，以冷卻AP和其他核心組件。HPB僅用于SoC。三星正在考慮采用2.5D或3D封裝來采用該技術。

　　端側人工智能(AI)的日益普及也增加了人們對AP過熱的擔憂。

　　兩年前，三星因Galaxy S22系列智能手機的過熱問題而受到嚴厲批評。三星試圖通過其游戲優化服務(GOS)應用程序來防止這種情況發生，該應用迫使AP降低其性能以防止其過熱，但三星卻沒有告知用戶。三星通過改變AP設計并在后續型號上采用蒸汽室來改善這個問題。