3 月 8 日消息，三星研究員 Young Seog Kang 在近日舉行的 SPIE 先進光刻 + 圖案化會議的小組討論中對 EUV 技術的壽命持有悲觀看法，認為 High-NA(高數值孔徑)路線存在成本問題。

　　Kang 表示，作為光刻技術的用戶方，其總是最關心整體成本。

　　這位研究員指出，芯片制造商可使用目前運行的 0.33NA EUV 光刻機搭配多重圖案化實現精度的進一步提升，而無需更昂貴的替代方案(IT之家注：即 High-NA 光刻機)。

　　更重要的是，代工廠正轉向先進封裝和其他圖案化方法生產芯片。尤其對于擁有大量重復單元的存儲半導體，納米壓印等方案正在市場中逐漸占據一席之地。

　　Kang 的表態是從去年底開始的 High-NA 成本大討論的一部分：

　　此前分析機構 SemiAnalysis 稱對于 1.4nm 節點而言，High-NA 光刻成本仍高于現有版本 EUV + 多重圖案化的組合;

　　ASML 首席財務官回擊稱 High-NA 光刻是未來最經濟選擇，相關訂單逐步增加。

　　而在買方，三星的主要競爭對手英特爾積極采用 High-NA EUV，并已宣布將在 Intel 14A 制程節點引入;行業龍頭臺積電對此并未發表過多信息，有傳聞稱要等到 2030 年后才會使用。

　　在 Kang 所在的小組內部，各方專家也有各自的意見：

　　光刻膠供應商 JSR 北美總裁馬克・斯萊扎克(Mark Slezak)表示 EUV 技術的整體壽命將長達 20 年;

　　英特爾掩模業務總經理弗蘭克・阿布德(Frank Abboud)認為，相移掩模這一在 DUV 光刻中起到重大作用的技術有望引入 EUV;

　　ASML 系統工程總監揚・范・舒特(Jan van Schoot)指出，其正在研發新的光源，并采取其他技術改善同數值孔徑一樣重要的 k1 復合參數;

　　Imec 技術人員艾米麗・加拉格爾(Emily Gallagher)則表示，EUV 的未來命運也可能由技術之外的因素決定：如生產過程中含氟溫室氣體的排放問題，為環境考慮使用替代品將引入更大變量。