比利時微電子研究中心(IMEC)預測，芯片工藝將于2036年進入0.2nm時代。近日，IMEC提出了一條芯片工藝技術發展路徑，并預計人們通過在架構、材料、晶體管的新基本結構等方面的一系列創新，2036 年芯片工藝有望演進到0.2 nm。

　　IMEC是世界最著名的研究機構之一，以半導體研究為重點，與英特爾、臺積電和三星、ASML、應用材料公司均有廣泛合作。IMEC的路線圖可以讓人們對半導體行業即將出現的進步有更長遠的看法。

　　晶體管工藝微縮是芯片技術發展的關鍵。隨著工藝微縮的演進，芯片可以提高性能、降柢成本與功耗。現在，臺積電與三星正在致力于實現3nm工藝的量產。但是，隨著工藝微縮進入10nm以下，越來越接近物理極限，面臨的挑戰也越來越大，包括量子效應對微芯片運行的干擾，內存墻的存在，漏電流的增大，以及芯片復雜性增加造成的制造成本、設計工藝開發成本的增加等。

　　IMEC表示，光刻技術的不斷進步是進一步縮小尺寸的關鍵，同時人們還需要晶體管架構的創新。從 2 nm 開始GAA架構將是必不可少的。CFET晶體管架構將是 GAA繼承者。CFET 晶體管將采用原子厚度的新型超薄二維單層材料，如二硫化鎢 (WS2) 或鉬。該器件路線圖與光刻路線圖相結合，將帶人們進入以“埃”為單位的時代。