三星電子近日宣布，它們已開始量產業界最小的14 納米 (nm) DRAM，基于極紫外 (EUV) 技術打造 。繼去年3月三星推出業界首款 EUV DRAM 后，三星已將EUV 層數增加到5層。

　　三星電子高級副總裁兼DRAM 產品與技術負責人Jooyoung Lee表示：我們在近三十年的時間里一直引領著 DRAM 市場。今天，三星通過多層 EUV技術達到了新的里程碑，是傳統氟化氬 (ArF) 工藝無法達到的。在這基礎上，我們將繼續提供獨特的內存解決方案，滿足 5G、AI 和元宇宙等的數據驅動領域對于更高性能和容量的需求。”

　　EUV 技術對于提高圖案化精度以實現更高性能和更高產量變得越來越重要。通過在其 14 納米 DRAM 中應用五個 EUV 層，三星實現了最高位密度，同時將整體晶圓生產率提高了約 20%。此外，與上一代 DRAM 節點相比，14 納米工藝有助于將功耗降低近 20%。

　　利用最新的 DDR5 標準，三星的 14 納米 DRAM速度能夠達到7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

　　三星計劃擴展其14納米DDR5產品組合，以支持數據中心、超級計算機和企業服務器應用。此外，三星預計將其 14 納米 DRAM 芯片密度增加到 24Gb，以更好地滿足全球 IT 系統快速增長的數據需求。