受北京市科委邀請，第十三屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2016)將移師北京，于2016年11月15日至17日在北京國際會議中心召開。并將與2016中國(北京)跨國技術轉移大會暨第三代半導體國際論壇同期同地(以下簡稱“跨國技術轉移大會”)舉行，交相輝映。

　　此次跨國技術轉移大會，由中國科技部與北京市人民政府主辦，從2011年創辦至今，已連續舉辦五屆，已成功打造中國國際創新合作第一會議平臺，助力北京建設全國科技創新中心與國際交往中心。今年的跨國技術轉移大會將覆蓋眾多科技、產業創新熱點領域，吸引更多在跨國技術轉移合作實踐之中具有互補性的國家和地區參與。

　　其中，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等為代表的第三代半導體材料，具有高擊穿場強、高熱導率、高電子飽和速率、高抗輻射能力等優越性能，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發展的重點新材料，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。

　　本屆跨國技術轉移大會，將從技術、產業、應用等全鏈條策劃，通過高峰論壇、專題研討、應用峰會、合作論壇和創新大賽等多種形式，圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用設置，包括碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術、第三代半導體與固態紫外器件等多個專場重點討論。

　　目前碳化硅電力電子器件技術專場分會，陣型已漸露陣容，大腕云集，看點十足。為了360度全方位保證分會的高水準，分會采用召集人+主席+分會團的模式，兼顧產學研，每一環節都有超強專家的鼎力支持。

　　分會召集人由全球能源互聯網研究院黨組書記、副院長，輸配電及節電技術國家工程研究中心主任邱宇峰和浙江大學教授，教育部長江學者，特聘教授，博士生導師盛況共同擔任。

　　邱宇峰曾擔任電力行業電能質量及柔性輸電標準化技術委員會主任。主要從事柔性輸電、高壓直流輸電和電力系統繼電保護等領域的研發工作。是中國大功率電力電子技術的主要開創者之一。主持完成了國家973、863項目等多項研究，完成了中國第一臺用于輸電系統的靜止無功補償器、世界首臺1000kV串聯補償裝置、800kV特高壓直流換流閥及世界首個200kV直流斷路器等技術研發與工程應用，為特高壓電網及智能電網在中國的建設和發展做出了積極貢獻。

　　盛況主要從事電力電子器件及電力電子集成電路領域的研究，主持國家863項目、國家科技重大專項項目、國家自然基金項目，以及其他省部級項目等近10項。2002-2009在美國Rutegers大學(即新澤西州大學)任教;2009年被評為教育部長江學者，擔任浙江大學電氣工程學院特聘教授。2010年入選浙江省千人計劃;2012年入選“十二五”863計劃先進能源技術領域新型電力電子關鍵技術主題專家;任電力電子領域權威期刊IEEE Transactions on Power Electronic和IEEE Transactions on Industry Applications副主編。

　　倫斯勒理工大學教授周達成受邀擔任本次分會外方主席，周達成1977年至1989年，就職于美國通用電氣公司位于紐約州斯克內克塔迪市的研發中心。1989年開始他在倫斯勒理工學院電氣、系統和計算機工程系工作。期間，獲得1982年度電化學學會的固態科學技術青年作者獎，并在1986年被奧古斯塔納學院授予地平線獎。至今已發表過70篇科學期刊論文，過百的大會演講，給四本技術型教科書寫過章節，并擁有超過10個專利。他同時也是IEEE的資深會士。目前其研究重點包括：發展新器件概念;高壓電力設備和集成電路模型;研究硅和寬禁帶化合物半導體;超大規模集成化金屬一體化工藝。

　　本次分會委員團隊同樣星光熠熠，力邀多位國內外的權威專家共同坐鎮。分會成員張安平，西安交通大學電信學院教授，博士生導師，"千人計劃"國家特聘專家，IEEE高級會員，曾任美國EMCORE公司研究工程師，美國通用電氣公司研究中心資深科學家和項目負責人。

　　分會成員張玉明，西安電子科技大學微電子學院教授、院長，主要從事高性能半導體器件領域的研究工作，包括(1)高溫高頻大功率寬禁帶半導體器件和材料(SiC);(2)模擬(射頻)集成電路設計;(3)自旋電子學;(4)半導體器件模型和模擬;(5)半導體器件抗輻照加固技術等。他同時是國防科技重點學科“寬帶隙半導體技術”重點實驗室主任，全國重點學科微電子學與固體電子學博士導師，國際IEEE學會高級會員，IEEE-ED陜西分會主席。

　　分會成員徐現剛，山東大學教授，師從于蔣民華院士。教育部長江計劃的特聘教授， 973首席科學家。主要從事半導體材料制備及其應用研究的工作。 自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料的生長及器件應用工作，制備出多種量子異質結構材料，應用到多種半導體器件如：半導體激光器、發光二極管等。自2000年開始SiC單晶生長和加工工作，先后突破了2~6英寸SiC單晶的生長與襯底加工技術，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，制備出基于SiC襯底的GaN超高亮度發光二極管。先后承擔了多項863、973、國家重大專項等課題。獲得多項表彰和獎勵，如1995年洪堡學者，1999年在美國獲得由IEEE頒發的Best Paper Award，2000年獲得“國家杰出青年基金”，2003年“山東省科技進步一等獎”、“山東省留學回國創業獎”，2005年獲“山東省十大杰出青年”，2007年獲“政府特殊津貼獎”，2013年獲得“山東省技術發明一等獎”等。至今已發表超過150篇相關論文及會議報告。

　　分會委員柏松，寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任、中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員。他一直致力于SiC器件的研發，在國內首先實現了擊穿電壓超過10kV的SiC肖特基二極管和SiCPiN二極管，在高壓SiC JFET和SiC MOSFET技術開發方面也取得了重要成果。負責承擔和完成多項國家科技重大專項、高技術研究發展計劃等重大科研項目，申請發明專利17項，其中授權8項，曾獲國防科技進步一等獎一項。

　　分會委員于坤山，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長、北京國聯萬眾半導體科技有限公司副總裁、教授級高級工程師。于坤山長期從事電力電子，微電子，電能質量等領域技術研究、產品研發、工程應用、標準化等工作。在電力系統電能質量、定制電力、FACTS等方面取得了有影響力的成果。目前主要從事第三代半導體產業鏈建設及其系統解決方案、知識產權、標準化和平臺技術研究，探索第三代半導體技術與能源互聯網建設相結合的途徑。

　　國內外的精英們齊聚一堂，高質量的精彩報告當然是少不了的，分會外方主席倫斯勒理工大學教授周達成，分會成員、西安交通大學電信學院教授、博士生導師，"千人計劃"國家特聘專家張安平，分會成員、山東大學教授徐現剛，分會召集人、全球能源互聯網研究院黨組書記、副院長、輸配電及節電技術國家工程研究中心主任、教授級高工邱宇峰和分會召集分、浙江大學教授、教育部長江學者、特聘教授、博士生導師盛況等都將做精彩特邀報告，分享關于碳化硅器件的最新研究進展。

　　澳大利亞格里菲斯大學微電子工程學院教授，兼昆士蘭微型和納米技術中心副主任Sima Dimitrijev也將帶來“后硅時代”的電力電子器件的特邀分享。Sima Dimitrijev曾先后就職于尼什的電子業半導體工廠、尼什大學的電子工程學院、澳大利亞格里菲斯大學。他是IEEE的資深會士，同時還是Pergamon-Elsevier出版的雜志《Microelectronics Reliability》的編輯顧問委員會會員。同時他還參與了工業聯盟計劃。目前他的研究重點是碳化硅電子，特別是碳化硅金屬氧化物半導體器件。

　　名古屋大學教授宇治原徹也將做特邀報告，宇治原徹目前是名古屋大學未來電氣可持續材料及系統研究所教授。其專業領域包括晶體生長、溶液生長、汽相生長、碳化硅、功率器件、太陽能電池、半導體光電、旋轉觀察、生物設備、半導體質膜混合器件和脂質二重層。研究領域包括應用材料科學、晶體工程、電子材料、電氣材料和金屬的物理性質。

　　韓國東義大學先進材料工程系教授、電子陶瓷研究中心(ECC)副主任Won-Jae LEE也將做關于碳化硅電力電子器件最新研究的特邀報告，Won-Jae LEE一直專注SiC等材料的研究，曾先后在各國際期刊上發表約180篇論文，注冊有50個專利(包括5個美國專利)。

　　廣西大學教授馮哲川也將分享其最新研究成果，馮哲川從事第三代半導體研發超過二十年，包括碳化硅和III族氮化物的研究, 至今編輯出版了半導體及顯微結構，多孔硅，碳化硅,III族氮化物，氧化鋅及奈米工程領域多本英文專書，發表過600多篇學術論文(超過250篇SCI收錄)引用超3500次。

　　作為一種新型的寬禁帶半導體材料，碳化硅因其出色的物理及電特性，正越來越受到產業界的廣泛關注。超強的陣容組合，加上高質量的內容，本次分會將全方位呈現當前碳化硅電力電子器件的研究進展，技術進展如何?有哪些趨勢?……相信你想知道的，都會有答案。11月15日，我們北京見!