據媒體報道，三星電子設備解決方案(DS)部門副董事長全永鉉宣布，三星將于今年下半年采用第六代“1c DRAM”工藝，開始量產下一代LPDDR6內存，并計劃向高通等科技巨頭供貨。

　　面對中國存儲廠商長鑫存儲(CXMT)已完成LPDDR5X內存開發并積極追趕的態勢，三星明顯加快了LPDDR6的自主研發步伐。業內觀察認為，長鑫存儲有望在2026年左右實現其產品的全面量產。

　　1c DRAM作為DRAM制造的第六代工藝節點，相比前代實現了更高的晶體管密度和更優的能效比。三星通過“設計變更”策略顯著提升了1c DRAM的良品率(冷態達50%，熱態達60%-70%)，并計劃在韓國華城工廠建設新產線擴大產能。

　　基于此工藝開發的LPDDR6內存，在帶寬和功耗表現上均有顯著提升，能夠滿足AI模型訓練、移動終端高性能計算等對內存性能的嚴苛需求。

　　行業消息顯示，高通的下一代旗艦芯片“驍龍8 Elite Gen2”將首發支持LPDDR6內存，并計劃于今年的驍龍峰會上正式亮相。隨著AI應用向終端設備下沉，LPDDR6的高帶寬與高能效成為關鍵競爭力。

　　三星計劃通過向高通等廠商供貨，深化在智能手機、筆記本電腦及AI服務器市場的滲透，鞏固其技術壁壘。此外，三星也將在HBM4等高端存儲產品中部署1c DRAM技術，構建覆蓋AI全場景的內存解決方案。

　　為支持LPDDR6及1c DRAM的量產，三星正積極推進華城工廠新生產線的建設，預計最早于今年年底完成。值得注意的是，三星打破了傳統的開發順序，正同步開發面向DDR(服務器/PC)和LPDDR(移動/低功耗)應用的1c DRAM產品，以加速其商業化進程。