三星半導體今日宣布，其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產，比三星上一代產品提高約 50% 的位密度(bit density)，通過通道孔蝕刻技術(channel hole etching)提高生產效率。

　　憑借當前三星最小的單元尺寸和最薄的疊層厚度，三星第九代 V-NAND 的位密度比第八代 V-NAND 提高了約 50%。單元干擾避免和單元壽命延長等新技術特性的應用提高了產品的質量和可靠性，而消除虛通道孔則顯著減少了存儲單元的平面面積。

　　此外，三星的“通道孔蝕刻”技術通過堆疊模具層來創建電子通路，可在雙層結構中同時鉆孔，達到三星最高的單元層數，從而最大限度地提高了制造生產率。隨著單元層數的增加，穿透更多單元的能力變得至關重要，這就對更復雜的蝕刻技術提出了要求。

　　第九代 V-NAND 配備了下一代 NAND 閃存接口“Toggle 5.1”，可將數據輸入 / 輸出速度提高 33%，最高可達每秒 3.2 千兆位(Gbps)。除了這個新接口，三星還計劃通過擴大對 PCIe 5.0 的支持來鞏固其在高性能固態硬盤市場的地位。

　　與上一代產品相比，基于三星在低功耗設計方面取得的進步，第九代 V-NAND 的功耗也降低了 10%。

　　三星已于本月開始量產第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品，并將于今年下半年開始量產四層單元(QLC)第九代 V-NAND。

　　韓媒 Hankyung 稱三星第 9 代 V-NAND 閃存的堆疊層數是 290 層，不過IT之家早前報道中提到，三星在學術會議上展示了 280 層堆疊的 QLC 閃存。

　　半導體行業觀察機構 TechInsights 表示三星的第 10 代 V-NAND 閃存有望達到 430 層，進一步提升堆疊方面的優勢。