據媒體報道，有多名知情人士透露，隨著芯片制造競賽的升級，三星電子計劃采用競爭對手SK海力士的技術。

　　目前市場對于HBM(高帶寬存儲)芯片的需求越來越大，然而與競爭對手SK海力士和美光相比，三星卻失去了英偉達的大單。

　　分析人士普遍認為，三星之所以丟掉大單，很大程度上源于其堅持采用非導電薄膜(NCF)芯片工藝;而SK海力士使用的批量回流模制底部填充(MR-MUF)工藝，則有效解決了NCF技術的弊端。

　　分析師認為，三星HBM3芯片的良率表現并不理想，僅維持在10-20%的水平;相比之下，其競爭對手SK海力士的HBM3良率高達60-70%。

　　無奈之下，三星也開始計劃采用SK海力士使用的MR-MUF工藝，而非此前堅持的NCF技術。

　　知情人士稱，三星最近已發出了處理MR-MUF技術的設備采購訂單，還在與包括日本長瀨公司在內的材料制造商洽談采購MUF材料的事宜。

　　但盡管如此，由于需要進行更多的測試和優化，三星使用這一技術的芯片最早要到明年才能實現量產。