比利時微電子研究中心 (IMEC) 、阿斯麥 (ASML) 共同宣布，雙方將在開發先進高數值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻試驗線的下一階段加強合作。

　　按照ASML的說法，2025年開始，客戶就能從數值孔徑為0.33傳統EUV多重圖案化，切換到數值孔徑為0.55 High-NA EUV單一圖案化，降低制程成本，提高產量。

　　Fouquet表示，EUV光源輸出功率一直穩步增加，ASML傳統型號EUV光源輸出功率為250W~300W，最新型號3600D增加到350W，現在研究層面已做到600W，800W指日可待。

　　到2030年，使用High NA EUV的多重圖案將與單一圖案一起完成，以提高產量，并降低制程成本，需要更高數值孔徑的EUV曝光(NA=0.75)。

　　DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技術形成圖案的每個晶體管成本都不斷變化，考量到新技術價格一定高于EUV每套3億美元，High-NA EUV價格將非�？捎^，但仍取決于客戶要求和開發成本。

　　在這之前，光刻機大廠ASML高管對外表示，半導體業只有通力合作，建立完全自主的產業鏈，即使并非不可能也會極其困難。