SK海力士于8月3日宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存。
SK海力士向客戶發送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產。
238層NAND閃存成功堆棧更高層數的同時，實現了業界最小的面積。新產品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產出更多的芯片，因此相比176層NAND閃存其生產效率也提高了34%。
此外，238層NAND閃存的數據傳輸速度為2.4Gbps，相比前一代產品提高了50%，芯片讀取數據時的能源消耗也減少了21%。(全球TMT)
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