三星電子25日在京畿道華城廠區內的極紫外光刻(EUV)專用V1生產線舉行了適用新一代全環繞柵極(GAA)技術的3納米芯片產品出廠紀念活動。

　　韓產業通商資源部長官李昌洋、三星電子DS本部長慶桂顯以及員工和合作商有關人士共100多人出席活動。三星電子上月底宣布全球首款基于GAA技術的3納米工藝半導體產品投入量產。3納米工藝是半導體制作工程中最為尖端的制程技術。與此前使用鰭式場效應晶體管(FinFET)的芯片相比，新產品采用芯片面積更小、電耗減少、性能提升的GAA技術。

　　三星電子將首次把3納米GAA工藝用于高性能計算機群(HPC)，并計劃與主要合作商攜手將其擴至移動系統級芯片(SoC)等多種產品群。三星電子計劃繼華城廠區之后，在平澤廠區也投入量產GAA3納米芯片。